Предыдущая страница
Первая страница
Начало
Следующая страница
Справочник  по  полевым  транзисторам
Типовые области применения 
полевых транзисторов
Транзистор
Назначение
2П101  для работы во входных каскадах усилителей низкой частоты и постоянного тока с высоким входным сопротивлением 
КП102  для работы во входных каскадах усилителей низкой частоты и постоянного тока с высоким входным сопротивлением 
2П103 
2П103-9 
для работы во входных каскадах усилителей низкой частоты и постоянного тока с высоким входным сопротивлением 
2ПС104  для работы во входных каскадах дифференциальных малошумящих усилителей низкой частоты и постоянного тока с высоким входным сопротивлением 
2П201  для работы во входных каскадах усилителей низкой частоты и постоянного тока с высоким входным сопротивлением 
2ПС202  для работы во входных каскадах дифференциальных малошумящих усилителей низкой частоты и постоянного тока с высоким входным сопротивлением 
КПС203  для работы во входных каскадах дифференциальных малошумящих усилителей низкой частоты и постоянного тока с высоким входным сопротивлением 
КП301  для применения во входных каскадах малошумящих усилителей и нелинейных малосигнальных схемах с высоким входным сопротивлением 
КП302  для применения в широкополосных усилителях в диапазоне частот до 150 МГц, а также в переключающих и коммутирующих устройствах 
КП303  предназначены для применения во входных каскадах усилителей высокой (Д, Е, И) и низкой (А, Б, В, Ж) частот с высоким входным сопротивлением. Транзисторы КП303Г предназначены для применения в зарядочувствительных усилител ях и других схемах ядерной спектрометрии 
КП304  предназначены для применения в переключающих и усилительных схемах с высоким входным сопротивлением 
2П305  предназначены для применения в усилительных каскадах высокой и низкой частот с высоким входным сопротивлением 
КП306  предназначены для применения в преобразовательных и усилительных каскадах высокой и низкой частот с высоким входным сопротивлением 
КП307  предназначены для применения во входных каскадах усилителей высокой и низкой частот с высоким входным сопротивлением. Транзисторы КП307Ж предназначены для применения в зарядочувствительных усилителях и других схемах ядерной спектрометрии 
2П308-9  предназначены для применения во входных каскадах усилителей низкой частоты и постоянного тока (А, Б, В), в переключающих схемах и схемах коммутаторов (Г, Д) с высоким входным сопротивлением. 
КП310  для применения в приемно-передающих устройствах сверхвысокочастотного диапазона 
КП312  предназначены для применения во входных каскадах усилителей и преобразователей сверхвысокочастотного диапазона 
КП313  предназначены для применения в усилительных каскадах высокой и низкой частот с высоким входным сопротивлением 
КП314  для применения в охлаждаемых каскадах предусилителей устройств ядерной спектрометрии 
КПС315  для работы во входных каскадах дифференциальных малошумящих усилителей низкой частоты и постоянного тока с высоким входным сопротивлением 
КПС316  для работы во входных каскадах дифференциальных усилителей, балансных схем различного назначения с высоким входным сопротивлением 
3П320-2  арсенидогаллиевые полевые транзисторы с барьером Шоттки для СВЧ усилительных устройств с нормированных коэффициентом шума на частоте 8 ГГц 
3П321-2  арсенидогаллиевые полевые транзисторы с барьером Шоттки для СВЧ усилительных устройств с нормированных коэффициентом шума на частоте 8 ГГц 
КП322  тетрод на основе p-n перехода для усилительных и смесительных каскадов на частотах до 400 МГц 
КП323-2  транзистор с p-n переходом для входных каскадов предварительных малошумящих предварительных усилителей низкой и высокой частот (до 400 МГц) 
3П324-2  арсенидогаллиевые полевые транзисторы с барьером Шоттки для СВЧ усилительных устройств с нормированных коэффициентом шума на частоте 12 ГГц 
3П325-2  арсенидогаллиевые полевые транзисторы с барьером Шоттки с нормированных коэффициентом шума на частоте 8 ГГц для СВЧ устройств с малым уровнем шума, а также для фотоприемных устройств с малым уровнем собственных шумов 
3П326-2  арсенидогаллиевые полевые транзисторы с барьером Шоттки с нормированных коэффициентом шума на частоте 17.4 ГГц для применения во входных и последующих каскадах малошумящих усилителей 
КП327  МОП тетрод с n-каналом и затворами, защищенными диодами, для селекторов телевизионных каналов метровых и дециметровых волн 
3П328-2  арсенидогаллиевые полевые двухзатворные транзисторы с барьером Шоттки с нормированных коэффициентом шума на частоте 8 ГГц для применения во входных и последующих каскадах малошумящих усилителей 
КП329  для применения во входных каскадах усилителей низкой и высокой частот (до 200 МГц), в переключающих устройствах и коммутаторах с высоким входным сопротивлением 
3П330-2  арсенидогаллиевые полевые транзисторы с барьером Шоттки с нормированных коэффициентом шума на частоте 25 ГГц (3П330А-2, 3П330Б-2) и 17.4 ГГц (3П330В-2) для применения во входных и последующих каскадах малошумящих усилителей 
3П331-2  арсенидогаллиевые полевые транзисторы с барьером Шоттки с нормированных коэффициентом шума на частоте 10 ГГц для применения в малошумящих усилителях и усилителях с расширенным динамическим диапазоном 
2П332  полевой p-канальный транзистор для переключающих и усилительных устройств 
2П333  полевой n-канальный транзистор для применения во входных каскадах усилителей низкой и высокой частот (до 200 МГц), в переключающих устройствах и коммутаторах с высоким входным сопротивлением 
2П335-2  для усилительных устройств 
2П336-1  для переключающих и усилительных устройств 
2П337-Р  транзисторы подобранные в пары по электрическим параметрам предназначены для применения в балансных усилителях, дифференциальных усилителях с высоким входным сопротивлением на частотах до 400 МГц 
2П338-Р1  транзисторы подобранные в пары по электрическим параметрам предназначены для применения в балансных усилителях, дифференциальных усилителях с высоким входным сопротивлением 
3П339-2  арсенидогаллиевые полевые транзисторы с барьером Шоттки с нормированных коэффициентом шума на частотах 8 и 17.4 ГГц для применения в малошумящих усилителях, в усилителях с расширенным динамическим диапазоном и в широкополосных усилителях 
2П341  транзистор с p-n переходом для входных каскадов малошумящих усилителей в диапазоне частот 20 Гц - 500 МГц 
КП342  для переключающих устройств 
3П343-2  арсенидогаллиевые полевые транзисторы с барьером Шоттки с нормированных коэффициентом шума на частоте 12 ГГц для применения во входных и последующих каскадах малошумящих усилителей 
3П344-2  арсенидогаллиевые полевые транзисторы с барьером Шоттки с нормированных коэффициентом шума на частоте 4 ГГц для применения во входных и последующих каскадах малошумящих усилителей 
3П345-2  арсенидогаллиевые полевые транзисторы с барьером Шоттки для применения в фотоприемных устройствах с малым уровнем собственных шумов
КП346-9  МОП n-канальный двухзатворный транзистор с затворами, защищенными диодами, для селекторов каналов ТВ приемником (А,Б- для дециметровых волн, В- для метровых волн) 
2П347-2  n-канальный двухзатворный транзистор для входных каскадов радиоприемных устройств 
КП350  предназначены для применения в усилительных, генераторных и преобразовательных каскадах сверхвысокой частоты (до 700 МГц) 
КП351  транзисторы с барьером Шоттки с двумя затворами (3П351А-2) и с одним затвором (3П351А1-2), предназначены для применения в малошумящих усилителях, смесителях и других устройствах в сантиметровом диапазоне 
КП365А  BF410C n-канальный транзистор 
КП382А  BF960 двухзатворный полевой транзистор селекторов каналов ЦТ 
КП501А  ZVN2120 высоковольтный полевой МОП-транзистор, используемый в качестве ключа для аналоговых средств связи 
КП601 
2П601-9 
полевые транзисторы с диффузионным затвором и n-каналом, работа во входных и выходных каскадах усилителей и преобразователей частоты
АП602-2  арсенидогаллиевые полевые транзисторы с барьером Шоттки и n-каналом, работа в усилителях мощности, автогенераторах, преобразователях частоты в диапазоне частот 3-12 ГГц 
3П603-2  арсенидогаллиевые полевые транзисторы с барьером Шоттки и n-каналом, работа в усилителях мощности, автогенераторах, преобразователях частоты в диапазоне частот до 12 ГГц 
3П604-2  арсенидогаллиевые полевые транзисторы с барьером Шоттки и n-каналом, работа в усилителях мощности, автогенераторах, преобразователях частоты в диапазоне частот 3-18 ГГц 
3П605-2  арсенидогаллиевые полевые транзисторы с барьером Шоттки и n-каналом, работа в малошумящих усилителях и усилителях с расширенным динамическим 
диапазоном 
3П606-2  арсенидогаллиевые полевые транзисторы с барьером Шоттки и n-каналом, работа в усилителях мощности, автогенераторах, преобразователях частоты в диапазоне частот до 12 ГГц 
3П607-2  арсенидогаллиевые полевые транзисторы с n-каналом для работы в усилителях мощности, генераторах, преобразователях частоты в диапазоне частот до 10 ГГц 
3П608-2  арсенидогаллиевые полевые транзисторы с барьером Шоттки и n-каналом для работы в выходных каскадах усилителей и генераторов 
КП701  полевые транзисторы с изолированным затвором для вторичных источников питания, переключающих и импульсных устройств с частотой переключения до 1 МГц 
КП702  полевые транзисторы с изолированным затвором и n-каналом для вторичных источников питания, переключающих и импульсных устройств, ключевых стабилизаторов и преобразователей напряжения, усилителей, генераторов 
КП703  полевые транзисторы с изолированным затвором и p-каналом для вторичных источников питания, переключающих и импульсных устройств, ключевых стабилизаторов и преобразователей напряжения, усилителей, генераторов 
КП704  полевые транзисторы с изолированным затвором и n-каналом для использования в выходных каскадах оконечных видеоусилителей многоцветных графических дисплеев, во вторичных источниках энергопитания, в устройствах коммутации электрических цепей 
КП705  полевые транзисторы с изолированным затвором и n-каналом для использования в импульсных источниках питания, в переключающих и импульсных устройствах 
КП706  полевые транзисторы с изолированным затвором и n-каналом для использования в импульсных источниках питания, в переключающих и импульсных устройствах 
КП709  полевые транзисторы с изолированным затвором и n-каналом для использования в импульсных источниках электропитания ТВ приемников четвертого и пятого поколений, переключающих и импульсных устройствах радиоэлектронной аппар атуры, устройствах электропривода. Аналог BUZ90, BUZ90A Siemens. 
КП712  полевые транзисторы с изолированным затвором и p-каналом для работы в импульсных устройствах 
КП717Б  IRF350 МОП-транзистор с 400 В, 0.3 Ом 
КП718А  BUZ45 МОП-транзистор с 500 В, 0.6 Ом 
КП718Е1  IRF453 МОП-транзистор с 500 В, 0.6 Ом 
КП722А  BUZ36 МОП-транзистор с 200 В, 0.12 Ом 
КП723А  IRF44 МОП-транзистор с 60 В, 0.028 Ом 
КП723Б  IRF44 МОП-транзистор с 60 В, 0.028 Ом 
КП723В  IRF45 МОП-транзистор с 60 В, 0.028 Ом 
КП724Г  IRF42 МОП-транзистор с 60 В, 0.028 Ом 
КП724А  MTP6N60 МОП-транзистор с 600 В, 1.2 Ом 
КП724Б  IRF842 МОП-транзистор с 600 В, 1.2 Ом 
КП725А  TPF450 МОП-транзистор с 500 В, 0.4 Ом 
КП726А  BUZ90 МОП-транзистор с 600 В, 1.2 Ом 
КП728А  МОП-транзистор с 800 В, 3.0 Ом 
КП801  полевые транзисторы p-n переходом для применения в выходных каскадах усилителей звуковоспроизводящей аппаратуры 
КП802  полевые транзисторы p-n переходом работа в ключевых схемах преобразователей постоянного напряжения в качестве быстродействующего коммутатора 
КП803  полевые транзисторы с изолированным затвором для вторичных источников питания, переключающих и импульсных устройств, а также для ключевых стабилизаторов и преобразователей напряжения, усилителей и генераторов 
КП804  полевые транзисторы с изолированным затвором и n-каналом для быстродействующих импульсных схем 
КП805  полевые транзисторы с изолированным затвором и n-каналом для построения источников вторичного электропитания с бестрансформаторным входом, работающих от промышленной сети переменного тока с частотой 50 Гц и напряжением 220 В и для других устройств преобразования электрической энергии
КП809  МОП транзисторы для работы на частотах до 3 МГц и выше в импульсных источниках питания с бестрансформаторным входом, в регуляторах, стабилизаторах и преобразователях
КП810 прибор со статической индукцией для применения в схемах высокочастотных источников питания с бестрансформаторным входом, ключевых усилителях мощности
КП812  полевые транзисторы с изолированным затвором и n-каналом для импульсных источников питания, регуляторов, усилителей звуковой частоты 
КП813 МОП транзисторы для работы на частотах до 3 МГц и выше в импульсных источниках питания с бестрансформаторным входом, в регуляторах, стабилизаторах и преобразователях
КП814  полевые транзисторы с изолированным затвором и n-каналом для импульсных источников питания 
КП901  полевые транзисторы с изолированным затвором предназначены для применения в усилительных и генераторных каскадах в диапазоне коротких и ультракоротких длин волн (до 100 МГц) 
КП902  полевые транзисторы с изолированным затвором для применения в приемно-передающих устройствах в диапазоне частот до 400 МГц 
КП903  полевые транзисторы p-n переходом для применения в приемно-передающих и переключающих устройствах в диапазоне частот до 30 МГц 
КП904 полевые транзисторы с изолированным затвором предназначены для применения в усилительных, преобразовательных и генераторных каскадах в диапазоне коротких и ультракоротких длин волн 
КП905  полевые транзисторы с изолированным затвором для усиления и генерирования сигналов в диапазоне частот до 1500 МГц 
КП907  полевые транзисторы с изолированным затвором для усиления и генерирования сигналов в диапазоне частот до 1500 МГц, а также для применения в быстродействующих переключающих устройствах наносекундного диапазона 
КП908  полевые транзисторы с изолированным затвором для усиления и генерирования сигналов в диапазоне частот до 2.25 ГГц 
КП909  полевые транзисторы с изолированным затвором для работы в усилительных и генераторных устройствах в непрерывном и импульсном режимах на частотах до 400 МГц 
АП910-2  арсенидогаллиевые полевые транзисторы с барьером Шоттки и n-каналом для работы в усилителях мощности, генераторах, в диапазоне частот до 8 ГГц 
КП911  полевые транзисторы с изолированным затвором для работы в усилительных и генераторных устройствах 
КП912  полевые транзисторы с изолированным затвором для применения в ключевых стабилизаторах и преобразователях напряжения, импульсных устройствах, усилителях и генераторах 
КП913  полевые транзисторы с изолированным затвором для усиления и генерирования сигналов в диапазоне частот до 400 МГц при напряжении питания до 45 В 
2П914  полевой транзистор с p-n переходом д для применения в усилителях, преобразователях и генераторах высокой частоты, а также в переключающих устройствах 
3П915-2  арсенидогаллиевые полевые транзисторы с барьером Шоттки и n-каналом для работы в усилителях мощности, генераторах, в диапазоне частот до 8 ГГц 
КП918  полевые транзисторы с изолированным затвором для усиления и генерирования сигналов в диапазоне частот до 1 ГГц, а также для быстродействующих переключающих устройств 
КП920  полевые транзисторы с изолированным затвором для усиления и генерирования сигналов в диапазоне частот до 400 МГц, а также для быстродействующих переключающих устройств 
КП921  полевые транзисторы с изолированным затвором, предназначен для применения в быстродействующих переключающих устройствах 
2П922 
2П922-1 
полевые транзисторы с изолированным затвором и n-каналом, предназначены для применения в источниках вторичного электропитания, быстродействующ их переключающих и импульсных устройствах, а также в стабилизаторах и преобразователях напряжения 
КП923  полевые транзисторы с изолированным затвором для работы в усилительных и генераторных устройствах, в линейных усилительных устройствах на частоты до 1 ГГц 
3П925-2  арсенидогаллиевые полевые транзисторы с барьером Шоттки и n-каналом для работы в широкополосных усилителях мощности в диапазоне частот 3.7-4.2 ГГц (3П925А) и 4.3-4.8 ГГц (3П925Б) в тракте с волновым сопротивлением 50 Ом и содержит внутренние соглассующие цепи 
2П926  полевые транзисторы для вторичных источников питания, переключающих и импульсных устройств, а также для ключевых и линейных устройств 
3П927  арсенидогаллиевые полевые транзисторы с барьером Шоттки с n-каналом для работы в усилителях мощности, автогенераторах, преобразователях частот ы в диапазоне частот 1-18 ГГц 
2П928  два МОП транзистора с n-каналом и общим истоком, генераторные, предназначены для применения в усилителях мощности и генераторах 
3П930  арсенидогаллиевые полевые транзисторы с барьером Шоттки и n-каналом для работы в диапазоне частот 5.7-6.3 ГГц 
КП932  высоковольтный транзистор для работы в каскадах видеоусилителей цветных дисплеев 
КП933  два МДП транзистора с n-каналом и общим истоком для работы в линейных и широкополосных усилительных устройствах и автогенераторах с высокой стабильностью частоты (для усиления и генерирования сигналов с частотой до 1 ГГц ) 
КП934  транзисторы со статической индукцией и n-каналом предназначенные для применения в источниках вторичного электропитания и в высоковольтных ключевых устройствах 
КП937  переключательные полевые транзисторы с p-n переходом и n-каналом для применения в источниках вторичного электропитания, преобразователях напряжения, системах электропривода, импульсных генераторах электроискровых обрабат ывающих комплексов 
КП938  переключательные высоковольтные полевые транзисторы с p-n переходом и n-каналом для применения в источниках вторичного электропитания, для питания двигателей постоянного и переменного тока, в мощных коммутаторах, усилителях низкой частоты 
2П941  для генерирования сигналов и усиления мощности в радиоэлектронных схемах с рабочей частотой до 400-600 МГц при напряжении питания 12 В 
КП944 МДП транзистор с p-каналом для работы в схемах управления накопителей ЭВМ на магнитных дисках
КП944 МДП транзистор с n-каналом для работы в схемах управления накопителей ЭВМ на магнитных дисках
КП946  прибор со статической индукцией для применения в схемах высокочастотных источников питания с бестрансформаторным входом, ключевых усилителях мощности 
КП948  прибор со статической индукцией для применения в схемах высокочастотных источников питания с бестрансформаторным входом, ключевых усилителях мощности 
КП953  прибор со статической индукцией для применения в схемах высокочастотных источников питания с бестрансформаторным входом, ключевых усилителях мощности 
КП955  прибор со статической индукцией для применения в схемах высокочастотных источников питания с бестрансформаторным входом, ключевых усилителях мощности 
Предыдущая страница
Первая страница
Начало
Следующая страница
Козак Виктор Романович, Новосибирск, 9-апр-2000г.
e-mail kozak@inp.nsk.su